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FDS4465
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS4465Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)34C0164RL
Cinta adhesiva34C0164
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.340 | $2.34 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.340 |
| 50+ | $1.570 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.948 |
| 1000+ | $0.887 |
| 2500+ | $0.869 |
| 5000+ | $0.852 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS4465Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)34C0164RL
Cinta adhesiva34C0164
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id13.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0085
Resistencia de Activación Rds(on)0.0067ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El FDS4465 es un MOSFET de canal P producido utilizando la versión de puerta resistente del proceso avanzado PowerTrench®. Ha sido optimizado para aplicaciones de administración de energía con un amplio rango de voltaje de accionamiento de puerta (1.8 a 8V). Es adecuado para aplicaciones de protección de batería y interruptor de carga.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Capacidad de manejo de alta corriente y potencia
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha provocado una ampliación de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden variar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0085
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
13.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0067ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza FDS4465
2 productos encontrados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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