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FDS4501H
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.014 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS4501HCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante101 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78K5932RL
Cinta adhesiva78K5932
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380 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.000 | $2.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.000 |
| 50+ | $1.280 |
| 100+ | $0.868 |
| 250+ | $0.779 |
| 500+ | $0.690 |
| 1000+ | $0.633 |
| 2500+ | $0.620 |
| 5000+ | $0.607 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS4501HCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante101 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78K5932RL
Cinta adhesiva78K5932
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id9.3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.3
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.014
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1
Disipación de Potencia de Canal P1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Resumen del producto
The FDS4501H is a PowerTrench® N/P-channel complementary half-bridge MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. The device is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and battery protection applications.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.014
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
9.3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.014
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto