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FDS86140
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 11.2 A, 0.0098 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS86140Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4974
Re-reeling (Rollos a medida)88T3360RL
Cinta adhesiva88T3360
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $4.660 | $23.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $23.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $4.660 |
| 10+ | $3.070 |
| 15+ | $2.850 |
| 25+ | $2.620 |
| 50+ | $2.400 |
| 125+ | $2.160 |
| 250+ | $2.000 |
| 500+ | $1.840 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $2.360 |
| 3000+ | $2.270 |
| 6000+ | $2.160 |
| 12000+ | $2.040 |
| 18000+ | $1.980 |
| 30000+ | $1.960 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS86140Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4974
Re-reeling (Rollos a medida)88T3360RL
Cinta adhesiva88T3360
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id11.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0081ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0098
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS86140 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Es adecuado para convertidores CD a CD, UPS fuera de línea y aplicaciones de rectificador síncrono de alto voltaje.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0098
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
5W
Disipación de Potencia
5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0081ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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