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FDS8896
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5000+ | $0.430 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8896
No. Parte Newark64K0987
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.006
Resistencia de Activación Rds(on)0.0049ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.006
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0049ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS8896
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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