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FDS8949_F085
MOSFET Dual, Doble Canal N, 40 V, 6 A, 29 mohm
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semana(s)
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8949_F085
No. Parte Newark84W8876
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente29
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Resumen del producto
El FDS8949_F085 es un MOSFET de nivel lógico de doble canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo es ideal para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería donde se requiere una baja pérdida de energía en línea y una conmutación rápida. Es adecuado para su uso con aplicaciones de inversor y fuente de alimentación.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua 6A
- Corriente de drenaje pulsada 20A
- Calificado para AEC Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
29
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDS8949_F085
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto