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FDS9934C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9934C
No. Parte Newark60J0609
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.025ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.025ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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