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FDS9945
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9945Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2083
Re-reeling (Rollos a medida)78K5952RL
Cinta adhesiva78K5952
Su número de pieza
51 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.620 | $1.62 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.62 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.620 |
| 50+ | $0.806 |
| 100+ | $0.725 |
| 250+ | $0.655 |
| 500+ | $0.585 |
| 1000+ | $0.573 |
| 2500+ | $0.562 |
| 5000+ | $0.550 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.408 |
| 7500+ | $0.384 |
| 12500+ | $0.376 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9945Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2083
Re-reeling (Rollos a medida)78K5952RL
Cinta adhesiva78K5952
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS9945 es un MOSFET de canal doble dual PowerTrench® diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Ofrece una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación de CD a CD con mayor eficiencia general.
- Baja carga de compuerta
- Conmutación muy rápida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.1
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS9945
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto