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FDT86102LZ
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT86102LZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4982
Re-reeling (Rollos a medida)88T3368RL
Cinta adhesiva88T3368
Rango de ProductoPowerTrench
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.600 | $8.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $8.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.600 |
| 50+ | $1.010 |
| 100+ | $0.672 |
| 250+ | $0.599 |
| 500+ | $0.526 |
| 1000+ | $0.479 |
| 2500+ | $0.440 |
| 5000+ | $0.431 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.497 |
| 8000+ | $0.451 |
| 16000+ | $0.406 |
| 24000+ | $0.391 |
| 40000+ | $0.382 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT86102LZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4982
Re-reeling (Rollos a medida)88T3368RL
Cinta adhesiva88T3368
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id6.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4V
Disipación de Potencia2.2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
This N Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimise the on state resistance and switch loss. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage levels.
- Suitable for DC/DC conversion, inverter and synchronous rectifier
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
2.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDT86102LZ
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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