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FJP13009TU
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFJP13009TUCopiar
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No. Parte Newark84H4646
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFJP13009TUCopiar
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No. Parte Newark84H4646
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Voltaje Máx. Colector a Emisor400
Corriente del Colector Continua12
Disipación de Potencia Pd100W
Disipación de Potencia100
Corriente de Colector DC12A
Ganancia de Corriente DC hFE8hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición4
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.8
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400
Disipación de Potencia Pd
100W
Corriente de Colector DC
12A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
8
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Corriente del Colector Continua
12
Disipación de Potencia
100
Ganancia de Corriente DC hFE
8hFE
Diseño de Transistor
TO-220
Frecuencia de Transición
4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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