Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQA70N10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark97K0152
Su número de pieza
1,081 En Stock
450 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.980 |
| 10+ | $4.320 |
| 25+ | $3.670 |
| 50+ | $3.010 |
| 100+ | $2.800 |
| 250+ | $2.580 |
| 500+ | $2.520 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.98
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQA70N10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark97K0152
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id70
Resistencia de Activación Rds(on)0.023ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Diseño de TransistorTO-3P
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd214W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia214
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQA70N10 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 85nC
- Cruce bajo típico 150pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
214W
Disipación de Potencia
214
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.023ohm
Diseño de Transistor
TO-3P
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQA70N10
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
