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FQA8N100C
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQA8N100CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark31Y1509
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.170 |
| 10+ | $5.050 |
| 25+ | $4.940 |
| 50+ | $4.840 |
| 100+ | $4.740 |
| 250+ | $4.640 |
| 500+ | $4.540 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQA8N100CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark31Y1509
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Diseño de TransistorTO-3PN
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd225W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia225
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQA8N100C es un MOSFET de potencia de modo de mejora QFET® de canal N producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Carga baja de la puerta (53nC)
- Bajo Cruce (16pF)
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Diseño de Transistor
TO-3PN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
225W
Disipación de Potencia
225
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto