FQB27P06TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 27 A, 70 mohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.580 | $3.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.58 | ||
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.580 |
| 50+ | $2.460 |
| 100+ | $1.810 |
| 250+ | $1.780 |
| 500+ | $1.740 |
| 1000+ | $1.710 |
| 2500+ | $1.660 |
| 5000+ | $1.630 |
Información del producto
Resumen del producto
El FQB27P06TM es un modo de mejora QFET® de canal P de -60V. El MOSFET de potencia se produce utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio, control de motor de CD y potencia de conmutación variable. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Baja carga de compuerta
- Probado avalancha 100%
- Temperatura de unión nominal de 175°C
Especificaciones técnicas
Canal P
60
70
TO-263 (D2PAK)
10
4
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal P
27
0.055ohm
Montaje Superficial
120W
120
175
-
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQB27P06TM
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto