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FQD7N20LTM
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD7N20LTM
No. Parte Newark54AH8755
Rango de ProductoQFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD7N20LTM
No. Parte Newark54AH8755
Rango de ProductoQFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id5.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.59ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia45W
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoQFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.59ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
45W
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
QFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto