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FQD8P10TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD8P10TMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5583
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1531RL
Cinta adhesiva31Y1531
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1,855 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.510 | $7.55 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.510 |
| 10+ | $0.988 |
| 15+ | $0.914 |
| 25+ | $0.840 |
| 50+ | $0.764 |
| 125+ | $0.690 |
| 250+ | $0.626 |
| 500+ | $0.563 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.484 |
| 3000+ | $0.475 |
| 6000+ | $0.447 |
| 12000+ | $0.424 |
| 18000+ | $0.402 |
| 30000+ | $0.389 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD8P10TMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5583
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1531RL
Cinta adhesiva31Y1531
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id6.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0.41ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.53ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd44W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia44W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQD8P10TM es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 12nC
- Cruce bajo típico 30pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.41ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
44W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.53ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
44W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FQD8P10TM
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto