Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
999 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.880 |
10+ | $1.820 |
100+ | $1.770 |
500+ | $1.670 |
1000+ | $1.650 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.88
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQP11N40C
No. Parte Newark31Y1543
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id10.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.43ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.43
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd135W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia135
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FQP11N40C es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección de factor de potencia activa (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 28nC
- Cruce bajo típico 85pF
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia de Activación Rds(on)
0.43ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
135W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.43
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
135
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FQP11N40C
2 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto