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KSC945CYTA
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 150 mA, 250 mW, TO-92, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteKSC945CYTA
No. Parte Newark31Y2170
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor50V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Corriente del Colector Continua150mA
Disipación de Potencia250mW
Disipación de Potencia Pd250mW
Corriente de Colector DC150mA
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE120hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición300MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.120hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Disipación de Potencia
250mW
Corriente de Colector DC
150mA
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
120hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
150mA
Disipación de Potencia Pd
250mW
Diseño de Transistor
TO-92
Ganancia de Corriente DC hFE
120hFE
Frecuencia de Transición
300MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza KSC945CYTA
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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