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KSP2907ATA
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 600 mA, 625 mW, TO-226AA, Agujero Pasante
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| 500+ | $0.082 |
| 1000+ | $0.072 |
| 4000+ | $0.067 |
| 10000+ | $0.051 |
| 26000+ | $0.042 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteKSP2907ATA
No. Parte Newark31Y2185
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Corriente de Colector Continua600mA
Corriente de Colector DC600mA
Disipación de Potencia625mW
Disipación de Potencia Pd625mW
Diseño de TransistorTO-226AA
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición200MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El KSP2907ATA es un transistor bipolar PNP que ofrece un voltaje de base de colector de -60V y una corriente de colector de -600mA. Es adecuado para aplicaciones de amplificador de propósito general.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Corriente de Colector DC
600mA
Disipación de Potencia Pd
625mW
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente de Colector Continua
600mA
Disipación de Potencia
625mW
Diseño de Transistor
TO-226AA
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
200MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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