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MGSF1N03LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF1N03LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo83H7318
Re-reeling (Rollos a medida)58M9082
Cinta adhesiva58M9082
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.827 | $0.83 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.83 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.827 |
| 10+ | $0.536 |
| 25+ | $0.478 |
| 50+ | $0.422 |
| 100+ | $0.365 |
| 250+ | $0.328 |
| 500+ | $0.291 |
| 1000+ | $0.230 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.163 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF1N03LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo83H7318
Re-reeling (Rollos a medida)58M9082
Cinta adhesiva58M9082
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia730
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
730
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MGSF1N03LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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