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MGSF2N02ELT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2.8 A, 85 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF2N02ELT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09R9428
Cinta adhesiva09R9428
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.608 | $0.61 |
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.608 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF2N02ELT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09R9428
Cinta adhesiva09R9428
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Resistencia de Activación Rds(on)0.078ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MGSF2N02ELT1G es un MOSFET de potencia de montaje en superficie en miniatura de canal N con bajo RDS (ON) que garantiza una pérdida de potencia mínima y conserva la energía. El dispositivo es ideal para usar en circuitos de administración de energía sensibles al espacio. Es adecuado para convertidores de CD a CD, administración de energía en productos portátiles y que funcionan con baterías, como impresoras, tarjetas PCMCIA, teléfonos celulares e inalámbricos.
- Bajo RDS (ENCENDIDO) proporciona mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería
- El paquete de montaje en superficie en miniatura ahorra espacio en la tarjeta.
- IDSS especificado a temperatura elevada
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.078ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MGSF2N02ELT1G
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto