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MJD112G
Transistor Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD112G
No. Parte Newark58M9087
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia Pd20
Corriente de Colector DC2
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE1000
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
2
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia Pd
20
Disipación de Potencia
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
1000
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD112G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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