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MJD112T4G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD112T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark45J1479
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.365 |
| 7500+ | $0.343 |
| 12500+ | $0.337 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$912.50
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD112T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark45J1479
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Frecuencia de Transición25MHz
Corriente del Colector Continua2A
Disipación de Potencia20W
No. de Pines3Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000hFE
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The MJD112T4G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente del Colector Continua
2A
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Frecuencia de Transición
25MHz
Disipación de Potencia
20W
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD112T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto