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MJD122G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD122GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark42K1269
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.885 |
| 100+ | $0.582 |
| 500+ | $0.569 |
| 1000+ | $0.558 |
| 2500+ | $0.545 |
| 10000+ | $0.512 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD122GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark42K1269
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Disipación de Potencia Pd1.75
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua8A
Disipación de Potencia1.75W
Corriente de Colector DC8
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE12
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.12hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJD122G es un transistor de potencia Darlington complementario bipolar NPN de silicio de 100V diseñado para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. El transistor Thins es un reemplazo de montaje en superficie para la serie 2N6040-2N6045, la serie TIP120-TIP122 y la serie TIP125-TIP127, y también tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación de emisor de base incorporada.
- Punta formada para aplicaciones montaje en superficie en mangas de plástico
- Alta ganancia de Corriente de CD
- El epoxi cumple con la clasificación UL 94V-0
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
1.75W
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
12
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Disipación de Potencia Pd
1.75
Corriente del Colector Continua
8A
Corriente de Colector DC
8
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
12hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD122G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto