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MJD200G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito general, NPN, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD200G
No. Parte Newark45J1484
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo25V
Voltaje Máx. Colector a Emisor25V
Corriente de Colector DC5A
Corriente del Colector Continua5A
Disipación de Potencia Pd1.4W
Disipación de Potencia1.4W
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición65MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.65hFE
Ganancia de Corriente DC hFE65hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25V
Corriente del Colector Continua
5A
Disipación de Potencia
1.4W
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
65MHz
Ganancia de Corriente DC hFE
65hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
25V
Corriente de Colector DC
5A
Disipación de Potencia Pd
1.4W
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
65hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD200G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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