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MJD31CRLG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD31CRLGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark71J5848
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD31CRLGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark71J5848
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Corriente del Colector Continua3
Disipación de Potencia15
Disipación de Potencia Pd15W
Corriente de Colector DC3A
Ganancia de Corriente DC hFE10hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Disipación de Potencia
15
Corriente de Colector DC
3A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia Pd
15W
Ganancia de Corriente DC hFE
10hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2022)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD31CRLG
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2022)
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