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MJD32CT4G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 100 V, 3 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD32CT4G
No. Parte Newark45J1490
Rango de ProductoSerie MJxxxx
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $0.294 |
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Múltiple: 2500
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD32CT4G
No. Parte Newark45J1490
Rango de ProductoSerie MJxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Corriente del Colector Continua3
Corriente de Colector DC3A
Disipación de Potencia Pd1.56W
Disipación de Potencia1.56
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE10hFE
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie MJxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Corriente de Colector DC
3A
Disipación de Potencia
1.56
Ganancia de Corriente DC hFE
10hFE
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia Pd
1.56W
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie MJxxxx
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD32CT4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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