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MJE15035G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE15035G
No. Parte Newark26K4453
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor350V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo350V
Corriente de Colector DC4A
Corriente de Colector Continua4A
Disipación de Potencia Pd50W
Disipación de Potencia50W
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición30MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q100
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q100
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
350V
Corriente de Colector Continua
4A
Disipación de Potencia
50W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q100
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. Colector a Emisor
350V
Corriente de Colector DC
4A
Disipación de Potencia Pd
50W
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Frecuencia de Transición
30MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q100
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
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