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MJE181G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE181G
No. Parte Newark26K4457
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Corriente del Colector Continua3
Disipación de Potencia Pd1.5W
Disipación de Potencia1.5
Corriente de Colector DC3A
Ganancia de Corriente DC hFE5hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-225
Frecuencia de Transición50
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Corriente de Colector DC
3A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
5
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia
1.5
Ganancia de Corriente DC hFE
5hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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