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MJE181G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE181GCopiar
No. Parte Newark26K4457
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Corriente del Colector Continua3
Disipación de Potencia Pd1.5W
Disipación de Potencia1.5
Corriente de Colector DC3A
Ganancia de Corriente DC hFE5hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-225
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición50
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Corriente de Colector DC
3A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
5
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia
1.5
Ganancia de Corriente DC hFE
5hFE
Diseño de Transistor
TO-225
Frecuencia de Transición
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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