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MJE200G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 25 V, 5 A, 15 W, TO-225, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE200G
No. Parte Newark45J1500
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor25V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo25V
Corriente de Colector Continua5A
Disipación de Potencia15W
Disipación de Potencia Pd15W
Corriente de Colector DC5A
Diseño de TransistorTO-225
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE65hFE
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición65MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.65hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
25V
Disipación de Potencia
15W
Corriente de Colector DC
5A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
65hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25V
Corriente de Colector Continua
5A
Disipación de Potencia Pd
15W
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia de Corriente DC hFE
65hFE
Frecuencia de Transición
65MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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