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MJE200G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 25 V, 5 A, 15 W, TO-225, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE200G
No. Parte Newark45J1500
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo25V
Voltaje Máx. Colector a Emisor25
Corriente del Colector Continua5
Disipación de Potencia15
Disipación de Potencia Pd15W
Corriente de Colector DC5A
Diseño de TransistorTO-225
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE65hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición65
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.65
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25
Disipación de Potencia
15
Corriente de Colector DC
5A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
65
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
25V
Corriente del Colector Continua
5
Disipación de Potencia Pd
15W
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia de Corriente DC hFE
65hFE
Frecuencia de Transición
65
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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