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MJE3055TG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE3055TGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark45J1504
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.010 |
| 10+ | $1.350 |
| 100+ | $0.938 |
| 500+ | $0.899 |
| 1000+ | $0.859 |
| 2500+ | $0.819 |
| 10000+ | $0.778 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE3055TGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark45J1504
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Corriente del Colector Continua10
Disipación de Potencia75
Disipación de Potencia Pd75W
Corriente de Colector DC10A
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE2hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición2
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MJE3055TG es un transistor bipolar de silicio plástico complementario de 60V NPN diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación y conmutación de propósito general. El MJE2955T (PNP) y el MJE3055T (NPN) son dispositivos complementarios.
- Ganancia de corriente CD especificada a 10A
- Alta ganancia de corriente - ancho de banda
- Voltaje de colector a base (VCBO) de 70VDC
- Voltaje de emisor a base (VEBO) de 5V
- Corriente base de 6ACD (IB)
- Resistencia térmica de 1.67°C/W, de unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Disipación de Potencia
75
Corriente de Colector DC
10A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
2
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Corriente del Colector Continua
10
Disipación de Potencia Pd
75W
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
2hFE
Frecuencia de Transición
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJE3055TG
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto