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MJE5742G
BIPOLAR TRANSISTOR, DARLI.
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE5742GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark72T2535
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.840 |
| 10+ | $2.130 |
| 100+ | $1.410 |
| 500+ | $1.190 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $1.050 |
| 5000+ | $1.010 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE5742GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark72T2535
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Disipación de Potencia Pd100W
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC8A
Encapsulado de Transistor RFTO-220
Diseño de Transistor0
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Frecuencia de Transición0
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
8A
Diseño de Transistor
0
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Disipación de Potencia Pd
100W
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-220
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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