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MJF18004G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 450 V, 5 A, 280 mW, ISOWATT-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJF18004GCopiar
No. Parte Newark38K5622
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor450
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua5
Disipación de Potencia280
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorISOWATT-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición13
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.14
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
5
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
13
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
14
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
450
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
280
Diseño de Transistor
ISOWATT-220
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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