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MJH11021G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJH11021GCopiar
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.960 |
| 10+ | $6.100 |
| 25+ | $5.240 |
| 50+ | $4.370 |
| 100+ | $4.080 |
| 250+ | $3.790 |
| 500+ | $3.720 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJH11021GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark47T5368
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo250V
Disipación de Potencia Pd150W
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC15A
Diseño de Transistor0
Encapsulado de Transistor RFTO-247
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE400hFE
Frecuencia de Transición0
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
250V
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
15A
Encapsulado de Transistor RF
TO-247
Ganancia de Corriente DC hFE
400hFE
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
0
Diseño de Transistor
0
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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