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MJW3281AG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJW3281AGCopiar
No. Parte Newark50AC6116
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor230
Corriente del Colector Continua15
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200
Diseño de TransistorTO-247
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.12
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
230
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-247
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
12
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
15
Disipación de Potencia
200
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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