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MMBD301LT1G
Diodo Schottky RF, Barrera, Único, 30 V, 200 mA, 450 mV, 0.9 pF, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBD301LT1G
No. Parte Newark88H4772
Rango de ProductoSerie MMBD3
Hoja de datos técnicos
12,021 En Stock
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBD301LT1G
No. Parte Newark88H4772
Rango de ProductoSerie MMBD3
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso30V
Corriente Directa200mA
Voltaje Directo VF Máx.450mV
Voltaje Directo450mV
Capacitancia del Diodo0.9pF
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-23
No. de Pines3 Pines
Montaje del DiodoSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Rango de ProductoSerie MMBD3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBD301LT1G es un detector de portadora caliente de silicio y un diodo de conmutación diseñado principalmente para aplicaciones de detección UHF y VHF de alta eficiencia. Es fácilmente adaptable a muchas otras aplicaciones digitales y de RF de conmutación rápida.
- 15ps Vida útil de operador minoritaria extremadamente baja
- Máxima capacitancia muy baja 1.5pF a VR=15V
- IR de baja fuga inversa de 13nA CD
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 125°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa
200mA
Voltaje Directo
450mV
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-23
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
Serie MMBD3
Voltaje Reverso
30V
Voltaje Directo VF Máx.
450mV
Capacitancia del Diodo
0.9pF
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBD301LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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