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MMBF170
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF170Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5907
Re-reeling (Rollos a medida)58K9427
Cinta adhesiva58K9427
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.360 | $0.36 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.360 |
| 25+ | $0.224 |
| 50+ | $0.186 |
| 100+ | $0.146 |
| 250+ | $0.129 |
| 500+ | $0.112 |
| 1000+ | $0.100 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.063 |
| 6000+ | $0.060 |
| 12000+ | $0.057 |
| 18000+ | $0.051 |
| 30000+ | $0.047 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF170Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5907
Re-reeling (Rollos a medida)58K9427
Cinta adhesiva58K9427
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia300mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBF170 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo cuenta con tecnología DMOS de alta densidad celular que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en el estado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, como control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Diseño de celda de alta densidad para bajo Rds(ON)
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 500mA
- Disipación de potencia (Pd) de 300mW
- Baja resistencia de estado encenddo de 1.2ohm a Vgs 10V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBF170
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto