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MMBFJ108
Transistor JFET, JFET, 25 V, 80 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ108
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2730
Cinta adhesiva31Y2730
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|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.167 | $0.17 |
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $0.783 | $0.167 |
| 25+ | $0.466 | $0.167 |
| 50+ | $0.389 | $0.167 |
| 100+ | $0.312 | $0.167 |
| 250+ | $0.277 | $0.167 |
| 500+ | $0.243 | $0.167 |
| 1000+ | $0.216 | $0.167 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ108
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2730
Cinta adhesiva31Y2730
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-25V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente25
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula80mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero80mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta10
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ108
6 productos encontrados
Resumen del producto
El MMBFJ108 es un JFET de canal N Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de conmutación digital donde es obligatoria una resistencia muy baja.
- Procedente del proceso 58
- El voltaje de la compuerta de drenaje es de 25V a TA = 25 °C
- El voltaje de la puerta-fuente es de -25 V a TA = 25 °C
- La corriente de la puerta directa es de 10mA a TA = 25 °C
- La temperatura de la unión de funcionamiento y almacenamiento oscila entre -55 y 150 °C.
- La resistencia de la fuente de drenaje es de 8 ohmios a VDS ≤ 0,1 V, VGS = 0
- Paquete SSOT 3L
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +150 °C
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
80mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
10
No. de Pines
3 Pin
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
25
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
80mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto