Imprimir página
MMBFJ201
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ201Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K9426RL
Cinta adhesiva58K9426
Su número de pieza
7,754 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.626 | $0.63 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.63 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.626 |
| 50+ | $0.396 |
| 100+ | $0.264 |
| 250+ | $0.236 |
| 500+ | $0.207 |
| 1000+ | $0.189 |
| 2500+ | $0.185 |
| 5000+ | $0.182 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ201Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K9426RL
Cinta adhesiva58K9426
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-40V
Voltaje de Ruptura Vbr-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula200µA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero1mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-1.5V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBFJ201 es un transistor de efecto de campo de unión de canal N (JFET) de 40 V diseñado principalmente para audio de bajo nivel y aplicaciones de propósito general con fuentes de señal de alta impedancia. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Voltaje de compuerta a drenaje (VDG) 40V
- Corriente de compuerta directa de 50mA
- Resistencia térmica de 357°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
200µA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-1.5V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Ruptura Vbr
-40V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
1mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
No. de Pines
3 Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ201
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto