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MMBT5087LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 50 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5087LT1G
No. Parte Newark98H0753
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.195 |
| 25+ | $0.125 |
| 50+ | $0.102 |
| 100+ | $0.080 |
| 250+ | $0.070 |
| 500+ | $0.060 |
| 1000+ | $0.053 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5087LT1G
No. Parte Newark98H0753
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua50
Corriente de Colector DC50mA
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBT5087LT1G es un transistor bipolar PNP diseñado para aplicaciones de amplificador de propósito general de alta ganancia y bajo ruido. El dispositivo se encuentra en el paquete que está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie de menor potencia.
- Bajo RDS (ENCENDIDO) proporciona mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería
- Ahorra espacio de tarjeta
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Corriente de Colector DC
50mA
Disipación de Potencia
300
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Corriente del Colector Continua
50
Disipación de Potencia Pd
300mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Frecuencia de Transición
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie MMBTxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT5087LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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