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MMBT5551M3T5G
TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.06A, SOT-723
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5551M3T5G
No. Parte Newark14AC4580
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor160V
Corriente del Colector Continua60mA
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia265mW
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30hFE
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
160V
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
-
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
60mA
Disipación de Potencia
265mW
Diseño de Transistor
SOT-723
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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