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MUN5230DW1T1G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, NPN Doble, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5230DW1T1GCopiar
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No. Parte Newark09R9571
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5230DW1T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark09R9571
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R11kohm
Resistencia R2 Base Emisor1kohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia385mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.3hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
1kohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
1kohm
No. de Pines
6 Pines
Disipación de Potencia
385mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
3hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MUN5230DW1T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
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