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MUN5232DW1T1G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, NPN Doble, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5232DW1T1GCopiar
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No. Parte Newark09R9572
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark09R9572
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R14.7
Resistencia R2 Base Emisor4.7
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia385
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.15
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
4.7
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia
385
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
15
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
4.7
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MUN5232DW1T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
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