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MUN5235T1G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, Sencillo, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5235T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark45J1727
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5235T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark45J1727
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSencillo, NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R12.2
Resistencia R2 Base Emisor4.7
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia310
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Sencillo, NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
2.2
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia
310
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
4.7
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MUN5235T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
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