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MUN5335DW1T1G.
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, Complemento NPN y PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMUN5335DW1T1G.Copiar
No. Parte Newark27AC9497
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadComplemento NPN y PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R12.2
Resistencia R2 Base Emisor4.7
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia385
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Complemento NPN y PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50
Resitencia Básica de Entrada R1
2.2
Diseño de Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
4.7
No. de Pines
6 Pines
Disipación de Potencia
385
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MUN5335DW1T1G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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