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NDC7001C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
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Información del producto
Resumen del producto
El NDC7001C es un FET de modo de mejora de doble canal N/P producido utilizando alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento robusto y confiable y una conmutación rápida. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de fuente de alimentación y conmutación de baja tensión y baja corriente.
- Corriente de saturación alta
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Diseño con marco de plomo de cobre para capacidades térmicas y eléctricas superiores
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDC7001C
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
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