NDSH25170A

El NDSH25170A es un diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) EliteSiC. El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. La ausencia de corriente de recuperación inversa, las características de conmutación independientes de la temperatura y el excelente rendimiento térmico sitúan al carburo de silicio como la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen la mayor eficiencia, una frecuencia operativa más rápida, mayor densidad de energía, reducción de EMI y reducción del tamaño y costo del sistema. Las aplicaciones incluyen SMPS, inversores solares, UPS y circuitos de conmutación de energía.

• La temperatura máxima de unión es de 175°C
• Avalancha clasificado 506mJ
• Alta capacidad de sobrecorriente, coeficiente de temperatura positivo
• Facilidad de conexión en paralelo, sin recuperación inversa/sin recuperación directa
• El voltaje directo es típico de 1.50V a IF = 25A, TJ = 25 °C
• La corriente inversa es típica de 0.08µA a VR = 1700V, TJ = 25 °C
• La carga capacitiva total es típica de 169nC a V = 800V
• Encapsulado TO-247-2LD