Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1,430 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.948 |
| 25+ | $0.608 |
| 50+ | $0.526 |
| 100+ | $0.443 |
| 250+ | $0.390 |
| 500+ | $0.337 |
| 1000+ | $0.306 |
| 2500+ | $0.286 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.95
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT2955
No. Parte Newark58K9483
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.095ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El NDT2955 es un transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal P de 60V de montaje en superficie en paquete SOT-223. El transistor se produce mediante un proceso de zanja de alto voltaje y es adecuado para aplicaciones de administración de energía.
- Diseño de celda de alta densidad para Rds extremadamente bajo (ON)
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -2.5A
- Disipación de potencia (Pd) de 3W
- Baja resistencia estado encendido de 163mohm a Vgs -4.5V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 105°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.095ohm
Disipación de Potencia Pd
3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDT2955
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto