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NDT456P
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.5 A, 30 mohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT456PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo58K8104
Re-reeling (Rollos a medida)58K9485RL
Cinta adhesiva58K9485
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8,405 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.150 | $2.15 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 50+ | $1.370 |
| 100+ | $0.929 |
| 250+ | $0.882 |
| 500+ | $0.701 |
| 1000+ | $0.641 |
| 2500+ | $0.612 |
| 5000+ | $0.600 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.541 |
| 12000+ | $0.527 |
| 20000+ | $0.516 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT456PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo58K8104
Re-reeling (Rollos a medida)58K9485RL
Cinta adhesiva58K9485
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id7.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NDT456P es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel de canal P que utiliza tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Disipación de Potencia Pd
3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDT456P
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto