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NJD2873T4G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJD2873T4G
No. Parte Newark54T9969
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia1.68
Disipación de Potencia Pd1.68W
Corriente de Colector DC2A
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición65
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Disipación de Potencia
1.68
Corriente de Colector DC
2A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia Pd
1.68W
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición
65
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NJD2873T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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