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NJD2873T4G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJD2873T4G.Copiar
No. Parte Newark26AC2682
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia Pd1.68W
Disipación de Potencia1.68
Corriente de Colector DC2A
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines4Pines
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición65
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Disipación de Potencia Pd
1.68W
Corriente de Colector DC
2A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia
1.68
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
4Pines
Frecuencia de Transición
65
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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