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NJL3281DG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJL3281DGCopiar
No. Parte Newark82Y7073
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor260
Corriente del Colector Continua15
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-264
Corriente de Colector DC0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines5Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.75
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
260
Disipación de Potencia
200
Diseño de Transistor
TO-264
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
5Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
75
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
15
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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